Примена инфрацрвеног микроскопа у микро уређајима у електронској индустрији
1. Правац примене: улога инфрацрвеног микроскопа у температурном тестирању сићушних полупроводничких уређаја
2. Основни увод:
Са развојем нанотехнологије, њена метода минијатуризације од врха према доле све више се примењује у области технологије полупроводника. ИЦ технологију смо називали технологијом „микроелектронике“, јер је величина транзистора на нивоу микрона (10-6 метар). Међутим, технологија полупроводника се веома брзо развија. Сваке две године, једна генерација ће бити унапређена, а величина ће бити смањена на половину првобитне величине. Ово је чувени Муров закон. Пре око 15 година, полупроводници су почели да улазе у субмикронску еру, која је мања од микронске ере, а затим су отишли дубље у субмикронску еру, која је била много мања од микронске ере. До 2001, транзистори су били чак мањи од 0,1 микрона или 100 нанометара. Дакле, ово је ера наноелектронике, а већина будућих ИЦ ће бити направљена од нанотехнологије.
3. Технички услови:
Тренутно, главни начин квара електронских уређаја је термички квар. Према статистикама, 55 одсто кварова електронских уређаја узроковано је температуром која прелази наведену вредност. Како температура расте, стопа кварова електронских уређаја расте експоненцијално. Уопштено говорећи, радна поузданост електронских компоненти је изузетно осетљива на температуру, а поузданост ће пасти за 5 процената сваки пут када се температура уређаја повећа за 1 степен на нивоу од 70-80 степени. Због тога је потребно брзо и поуздано детектовати температуру уређаја. Како величина полупроводничких уређаја постаје све мања, постављају се све већи захтеви за температурну резолуцију и просторну резолуцију опреме за детекцију.
4. Топлотна карта снимања на лицу места
