Примена инфрацрвеног микроскопа у малим уређајима у индустрији електронике
Са развојем нанотехнологије, његов минијатуризациони приступ одобравајуће се све више примењује у области полуводичке технологије. Некада смо звали и ИЦ технологија "микроелектроника", јер је величина транзистора у микрометром (10-6 метара) распона. Али полуводичка технологија се веома брзо развија, напредује генерацијом сваке две године, а величина ће се смањити на половину своје оригиналне величине, што је познати Моореов закон. Пре око 15 година, полуводичи су почели да улазе у доба микрокра, што је мањи од микрометра, а затим дубљи суб микрон ЕРА, много мањи од микрометара. 2 {4}} 01, величина транзистора је чак смањена на мање од 0,1 микрометра, што је мање од 100 нанометара. Стога ће се у доба наноелектронике већина будућих ИЦ-а бити извршена употребом нанотехнологије.
Технички захтеви:
Тренутно је главни облик квара електронског уређаја топлотни квар. Према статистици, 55% неуспеха електронских уређаја проузроковано је температурама прекорачење наведене вредности, а стопа квара електронских уређаја се експоненцијално повећава са све већом температуром. Генерално гледано, оперативна поузданост електронских компоненти је веома осетљива на температуру, са 5% смањењем поузданости за сваки пораст од 1 степена у температури уређаја између 70-80 степени Целзијуса. Стога је потребно брзо и поуздано открити температуру уређаја. Због све мање величине полуводичких уређаја, веће захтеве су постављене на температурну резолуцију и просторно решавање опреме за откривање.
