Примена инфрацрвених микроскопа у микро-уређајима електронске индустрије
Позадина Увод
Са развојем нанотехнологије, његова метода минијатуризације од врха према доле све више се примењује у области технологије полупроводника. ИЦ технологија се раније називала технологијом „микроелектронике“ јер је величина транзистора била на микрометарској скали (10⁻⁶ метара).
Ипак, полупроводничка технологија брзо напредује, са новом генерацијом која се појављује сваке две године и величина карактеристика се смањује за половину. Ово је добро познати Муров закон. Пре отприлике 15 година, индустрија полупроводника је ушла у субмикронску еру, где су димензије мање од једног микрометра, а затим је уследила дубока субмикронска ера са величинама карактеристика далеко испод једног микрометра. До 2001. димензије транзистора су чак пале испод 0,1 микрометара, односно мање од 100 нанометара. Дакле, налазимо се у ери наноелектронике, а већина будућих интегрисаних кола (ИЦ) ће се производити помоћу нанотехнологије.
Тецхницал Рекуирементс
Тренутно, примарни начин квара електронских компоненти је термички квар. Статистике показују да је 55% кварова електронских уређаја узроковано температурама које прелазе одређене границе. Како температура расте, стопа кварова електронских уређаја експоненцијално расте. Генерално, поузданост рада електронских компоненти је изузетно осетљива на температуру. Када је температура уређаја у опсегу од 70-80 степени, сваки пораст од 1 степен смањује поузданост за 5%. Због тога је потребно брзо и поуздано мерење температуре компоненти. Како се полупроводнички уређаји и даље смањују, постављају се већи захтеви за температурну резолуцију и просторну резолуцију опреме за инспекцију.
