Како тестирати квалитет ФЕТ-ова помоћу мултиметра
Због присуства пригушне диоде између ДС полова најчешће коришћених МОСФЕТ-ова, перформансе МОСФЕТ-а се могу одредити коришћењем нивоа диоде дигиталног мултиметра за детекцију пада напона диоде између ДС полова. Детаљан метод детекције је следећи.
Окрените прекидач дигиталног мултиметра у режим диоде, повежите црвену сонду на С пол, а црну сонду на Д пол. У овом тренутку, екран мултиметра ће приказати вредност пада напона диоде између ДС полова. Вредност пада напона транзистора са ефектом поља велике снаге је обично између 0,4 и 0,8 В (углавном око 0,6 В); Не би требало да постоји пад напона између црне сонде повезане на С пол, црвене сонде повезане на Д пол и Г пола и других пинова (на пример, у Н-каналном транзистору са ефектом поља, П-канални транзистор са ефектом поља треба да има вредност пада напона када је црвена сонда повезана на Д пол, а црна сонда повезана на С). Напротив, то указује да је транзистор са ефектом поља оштећен.
Транзистори са ефектом поља се обично оштећују кваром, а пинови су обично у стању кратког споја. Према томе, пад напона између пинова такође треба да буде ОВ. Након сваког мерења МОС транзистора са ефектом поља, мала количина наелектрисања ће се напунити на кондензатору ГС споја, успостављајући напон УГС. Приликом поновног мерења, игле се можда неће померити (ако користите дигитални мултиметар, грешка мерења ће бити велика). У овом тренутку кратко спојите ГС полове.
Оштећење транзистора са ефектом поља обично је узроковано кваром и кратким спојем. У овом тренутку, мерећи мултиметром, игле су обично међусобно повезане. Након што је транзистор са ефектом поља оштећен, генерално нема очигледног оштећења изгледа. За јаке прекострујне оштећене транзисторе са ефектом поља, може експлодирати.
