Свитцхинг Повер Суппли ЕМИ Тецхнологи Трансфер Цханнел
Свитцхинг Повер Суппли ЕМИ Тецхнологи Трансмиссион Цханнел
(И). Спроведени канал за пренос сметњи
(1) капацитивна спрега
(2) Индуктивна спрега
(3) Отпорна спрега
а. Отпорна проводна спојница генерисана унутрашњим отпором јавног напајања
б. Отпорна проводна спрега генерисана импедансом јавног уземљења
ц. Отпорна проводна спрега генерисана импедансом заједничке линије
Прекидачко напајање ЕМИ технологија потискивања
(1) Смањите дв/дт и ди/дт (смањите њену вршну вредност, успорите њен нагиб)
(2) Рационална примена варистора за смањење пренапона
(3) пригушна мрежа за сузбијање прекорачења
(4) коришћење карактеристика меког опоравка диоде за смањење ЕМИ у опсегу високе фреквенције
(5) корекција активног фактора снаге и друге технике корекције хармоника
(6) коришћење разумно дизајнираних филтера за далековод
(7) Разумно уземљење
(8) Ефикасне мере заштите
(9) разуман ПЦБ дизајн
Прекидачко напајање ЕМИ технологија извори сметњи
(1) Преклопна цев за напајање
Цев за пребацивање напајања ради у стању брзог циклуса конверзије Он-Офф, дв/дт и ди/дт су у брзој трансформацији, стога је цев за пребацивање напајања и спој електричног поља главног извора сметњи, али и магнетна пољска спрега главног извора сметњи.
(2)
ЕМИ извор високофреквентног трансформатора је концентрисан у брзој цикличној трансформацији ди/дт која одговара индуктивности цурења, тако да је високофреквентни трансформатор важан извор интерференције спајања магнетног поља.
(3) Исправљачка диода
ЕМИ извор исправљачке диоде концентрисан је у карактеристикама повратног опоравка, а повремена тачка струје повратног опоравка ће произвести висок дв/дт у индуктивности (индуктивност проводника, лутајућа индуктивност, итд.), што доводи до јаких електромагнетних сметњи.
(4) ПЦБ
Да будемо прецизни, пЦБ је канал за спајање горе наведених извора сметњи, а заслуга пЦБ-а директно одговара добром или лошем потискивању горе наведених извора ЕМИ.
Контрола индуктивности цурења високофреквентног трансформатора
Индуктивност цурења високофреквентног трансформатора је један од важних разлога за стварање вршног напона искључивања напајања, стога је контрола индуктивности цурења постала први проблем са којим се суочавамо у решавању ЕМИ које доноси високофреквентни трансформатор.
Смањите индуктивност цурења високофреквентног трансформатора на две улазне тачке: електрични дизајн, дизајн процеса!
(1) изаберите право језгро, смањите индуктивност цурења. Индуктивност цурења је пропорционална квадрату броја завоја на оригиналној страни, смањење броја завоја ће значајно смањити индуктивност цурења.
(2) Смањите изолациони слој између намотаја. Сада постоји нека врста изолационог слоја који се зове "златни филм", дебљине 20 ~ 100ум, напона пробоја импулса до неколико хиљада волти.
(3) повећати спрегу између намотаја, смањити индуктивност цурења.
