Примена микроскопа у ЛЕД, стратешкој индустрији у настајању
ЛЕД (Лигхт Емиттинг Диоде, скраћено ЛЕД) је скраћеница за Лигхт Емиттинг Диоде. Од друге половине 2009. ЛЕД тржиште је доживело велики скок. Као индустрија у развоју, очекује се да ће до 2015. обим ЛЕД индустрије премашити 500 милијарди јуана, укључујући 160 милијарди јуана за општу индустрију осветљења, 120 милијарди јуана за индустрију позадинског осветљења ЛЦД телевизора великих{7}}, 20 милијарди јуана за индустрију аутомобилске расвете и индустрију опште расвете10 милијарди јуана, 0 милијарди јуана за општу индустрију осветљења. јуана за пејзажну, изложбену и друге индустрије.
Ланац ЛЕД индустрије може се грубо поделити на три дела, наиме узводни раст супстрата, производња епитаксијалне плочице, паковање чипова средњег тока и производи за даље примену. У целом индустријском ланцу, основни делови су раст супстрата и производња епитаксијалне плочице, који имају релативно висок технолошки садржај и чине скоро 70% вредности производње и профита индустрије.
На тренутни тренд развоја ЛЕД индустрије утичу како међународна тако и домаћа тржишта. Вођена Националним пројектом полупроводничког осветљења, кинеска ЛЕД индустрија је у почетку формирала релативно комплетан индустријски ланац, укључујући материјале супстрата узводно од ЛЕД, производњу ЛЕД епитаксијалних плочица, припрему ЛЕД чипова, паковање ЛЕД чипова и примену ЛЕД производа.
Као што је познато, полупроводничке светлосне{0}}диоде имају предности као што су висока ефикасност конверзије и дуг животни век и сматрају се следећом генерацијом извора светлости који ће заменити традиционалне изворе светлости који су тренутно у употреби. Међутим, на основу тренутних перформанси светлећих-диода које емитују светлост, још увек постоје многе техничке потешкоће које треба превазићи да би се постигао овај циљ, а истраживачки напори треба да се повећају у анализи и карактеризацији материјала, технологији анализе уређаја и другим аспектима. Оптички микроскопи, скенирајући електронски микроскопи, спектрометри рендгенске енергије, секундарни јонски масени спектрометри и друга опрема постали су суштински алати за анализу кварова уређаја и структурне анализе, као и за праћење, побољшање и побољшање епитаксијалних процеса у структури паковања светло-услова структуре емитовања светлости, састава диода и интерфејса за диоде и уређаја.
